分子束外延 MBE 是一种晶体生长技术, 首先将待成长的芯片放置在超高真空腔体中（~10^-10Torr）, 和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中, 当炉温升至一定温度时, 炉中的材料会以原子束或分子束的形式蒸发出来, 此时基板也被加热至一适当的温度, 分子束射至基板时, 就会与基板表面的原子结合而生长出极薄的, 可薄至单原子层水平, 单晶体和几种物质交替的超晶格结构.

分子束外延 MBE系统需要在超高真空环境中进行, 对真空度要求及其高, 真空可到 2×10^-10 torr, 同时需要低振动, 低噪音, 清洁无油确保超高真空的稳定性已保证晶格的生长和后期的探测分析.

分子束外延设备在生长二维材料以及拓扑材料, 氧化物方面都有不错的性能. 例如：GaAs/ InP和GaSb外延, HgCdTe外延/ GaN/ InN和AlN外延/ Ⅱ-Ⅵ族外延/ SiGe外延/ Si/金属/氧化物外延等

上海伯东Pfeiffer 用于 MBE 的客户案例

某真空系统集成商搭建的MBE设备, 由用户方采购   HiPace 系列和 ACP干泵用于分子束外延系统,

可以生长小样品及6“样品 SiC及 PBN钨丝等加热元件, 温度可以加到900度, 如果两寸以上样品可以到1100度.

腔体采有SS316材质, 真空可达到10^-10Torr, 使用伯东 Pfeiffer  HiPace分子泵及配合使用其他品牌离子泵, 可配备晶振, 束流监控器, 高能电子枪以及监控软件.

可配备固体源/ 气体源/ALD阀/ 等离子体增强型束源炉及电子回旋共振束源炉

标准RHEED系统（实时外延监测）

自动化控制软件

分子束外延超高真空系统用伯东 Pfeiffer 分子泵

伯东 Pfeiffer  HiPace 700
接口: DN 160 CF-F
极限真空: < 5X10^-10 mbar
氮气压缩比: > 1X10¹¹
抽速@N₂: 685 l/s

伯东 Pfeiffer  ACP28 多级

接口: DN25 ISO-KF
抽速: 27m³/h

上海伯东是德国  , , , , 美国  , 美国  , 美国 Ambrell 和日本 NS 等进口品牌的指定代理商.

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