在200mm晶圆时代, 介质、多晶以及金属刻蚀是刻蚀设备的三大块. 进入300mm时代以后, 随着铜互连的发展, 金属刻蚀逐渐萎缩, 介质刻蚀份额逐渐加大. 介质刻蚀设备的份额已经超过50%以上. 而且随着器件互连层数增多, 介质刻蚀设备使用量就越大.

为了适应工艺发展需求, 各家设备厂商都推出了一系列的关键技术来满足工艺需求. 主要有以下几类:

1:双区进气+additional Gas: Additional Gas的目的是通过调节内外区敏感气体的量提高整个刻蚀均一性, 结果比较明显.
2:等离子体技术: 等离子体密度和能量单独控制
3:等离子体约束: 减少Particle, 提高结果重复性
4:工艺组件: 适应不同工艺需求, 对应不同的工艺组件, 比如不同的工艺使用不同的Focus Ring

5: Narrow Gap: 窄的Gap设计可以使得电子穿过壳层, 中和晶圆上多余的离子, 有利于提高刻蚀剖面陡直度.
6:反应室结构设计；由200mm时的侧抽, 改为下抽或者侧下抽. 有利于提高气流均一性.

随着工艺的发展需求, 离子源被逐渐用于刻蚀设备，上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子源, 其产品霍尔 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE.

霍尔离子源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.

霍尔离子源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备
系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.
样品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子源 EH400 HC

霍尔离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内

 EH400HC 自动控制单元

霍尔离子源 EH400HC 通氩气

对于 FeSeTe 刻蚀应用,  EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >20 A/Sec

对于 FeSeTe 刻蚀应用,  EH400HC 条件: 110V/1.5A, 刻蚀速率 >17 Å/Sec

 EH400HC 特性:
1. 高离子浓度, 低离子能量
2. 离子束涵盖面积广
3. 镀膜均匀性佳
4. 提高镀膜品质
5. 模块化设计, 保养快速方便
6. 增加光学膜后折射率 (Optical index)      
7. 全自动控制设计, 操作简易
8. 低耗材成本, 安装简易
 

伯东是德国  , , , , 美国  , 美国  , 美国 Ambrell 和日本 NS 等进口品牌的指定代理商.

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