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FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
型号:FQL40N50
品牌:ON/安森美
封装:TO-264
漏源电流:40A
漏源击穿电压:500V
RDS(ON)Max:110mΩ
引脚数量:3
工作温度:-55℃~150℃
沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管
FQL40N50特点
40A,500V,RDS(on)= 110mΩ(值)(VGS = 10 V 且 ID = 20A 时)
低栅极电荷(典型值 155nC)
低 Crss(典型值 95pF)
100% 经过雪崩击穿测试FQL40N50概述:
FQL40N50是N沟道增强型功率 MOSFET 产品采用DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
应用
照明
小家电
电源
智能家居