FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50

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FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOSFQL40N50

型号:FQL40N50

品牌:ON/安森美

封装:TO-264

漏源电流:40A

漏源击穿电压:500V

RDSONMax110mΩ

引脚数量:3

工作温度:-55~150

沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS

FQL40N50特点

40A,500V,RDS(on)= 110mΩ(值)(VGS = 10 V 且 ID = 20A 时)
低栅极电荷(典型值 155nC)
Crss(典型值 95pF)
100% 经过雪崩击穿测试FQL40N50概述:

FQL40N50N沟道增强型功率 MOSFET 产品采用DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

应用

照明

小家电

电源

智能家居


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