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东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。 由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。 回购k9k场效应管,海力士内存,厂家库存呆料,霍尔元件,各种电子元器件,电感系列,通信ic产品类ic,工厂库存电子元件,现代4g内存芯片,海力士flash芯片,电源ic,音效ic等等。
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