为了满足激光惯性约束核聚变对光学晶体磷酸二氢钾（KDP）晶体所需的面形精度、表面质量的高要求, 对降低 KDP 晶体表面粗糙度和 KDP 晶体表面周期性刀痕, 某厂商采用离子源产生的离子束进行KDP晶体的沉积修正抛光.

该厂商采用双离子源溅射沉积系统, 其中一个采用伯东  对靶材进行溅射, 另一个采用伯东对样品进行离子刻蚀.

其工作示意图如下：

用于溅射的 KRI 聚焦型射频 RFICP 380 技术参数:

推荐理由：

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

用于刻蚀的 KRI 平行 KDC 100 技术参数：

* 可选: 可调角度的支架

推荐理由：

使用 KRI 平行型射频 RFICP 100 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀, 可以使大口径光学元件 KDP 晶体表面更均匀

运行结果:

1. 溅射沉积的KDP晶体表面的均匀性在5%以内, 刻蚀均匀性在5%以内

2. 离子束刻蚀可以KDP晶体表面周期性刀痕

3. KDP晶体表面粗糙度降低到1.5nm,达到了预期目的

伯东是德国  , , , , 美国  , 美国, 美国  , 美国 Ambrell 和日本 NS 等进口品牌的指定代理商.

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