25小时在线 158-8973同步7035 可微可电相信大家都知道，在芯片产业链共分为idm、foundry、fabless三种模式，其中fabless则指芯片设计厂商，只设计芯片不生产制造芯片产品，如华为、高通、联发科、苹果等，而foundry则指芯片代工厂商，只具备芯片生产制造能力，并不具备芯片设计能力，如台积电、中芯、华虹半导体等等，而实力强的则是idm芯片模式，具备了芯片设计、芯片制造、芯片封测等 能力，从设计到后生产制造部都能够自己搞定，比如intel、三星等，或许也是因为整个芯片产业链技术门槛较高，所以国内芯片厂商 的都只是fabless厂商，而idm芯片厂商则更少。
  而就在段时间，国内手机odm闻泰科技直接并购了安世半导体，安世半导体作为汽车领域的idm芯片，也是功率半导体企业，这也意味着闻泰科技是国内甚至是强的idm芯片，自己可以搞定芯片设计、芯片制造、芯片封测等 能力。
 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。  有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 TLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR