KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜

为了得到更佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W .

 

KRI 射频 RFICP380 技术参数:

射频型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

上图为磁控溅射系统工作示意图

 

KRI 的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 技术的情况下是无法实现的因此伯东的KRI 考夫曼射频 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源.

 

客户材料:

基片为φ25mmX4mm 的玻璃片靶纯度 99.9%尺寸 φ76mmX4mm铜靶纯度 99.99%尺寸 φ76mmX4mm工作气体为纯度 99.99% 的氩气.

 

运行结果:

 W 含量在11.1%Cu-W 薄膜具有好的硬度和耐磨性.

 

伯东是德国  , , , , 美国  , 美国HVA 真空阀门美国  , 美国 Ambrell 和日本 NS 等进口品牌的指定代理商.

 

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