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25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电子元器件ti、at、长电芯片识别真假的方法后,本期再迎来美信芯片的识别方法,以max485esa+t为例,可以从以下几点辨别真假:
原装盒子字体打印清晰,中间手指的指甲线条较细,非原装手指图案中间的线条稍粗;
标签上美信的logo,“m”字下方三角形较立体,并且字母后面小字母标注类似tta,非原装logo “m”字下方类似三角形,字母后面的小字母类似tm;
原装胶盘上每个小孔内字体较暗,效果不会明显,非原装较强;
原装带子保护膜呈乳白色,保护膜与芯片不会压的紧,非原装完呈透明状态;
芯片上丝印字体大小均匀清晰,定位孔大小 一致,管脚无打磨,非原装打磨可能会较明显。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。 三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。 AD9353BCPZ-REEL LB1836ML-TLM-E PGA116AIPWR M81736FP AO4566 AON6560 ADBS-A320 SN74CBT3125PWR STF16N65M2 LM337LMX/NOPB 853S111BYILFT L3GD20HTR W25X40VNIG TLV71333PQDBVRQ1 TXS0102YZPR 88EM8183B2-SAE2C000TAL04 LP5912-2.8DRVR TL431IPK TLV62569DBVR BQ24123RHLR SD8585STR TPS562209DDCR TPS51200DRCT TPS54061QDRBTQ1 TPS22810DBVR
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