南昌回收TOSHIBA东芝电脑BGA芯片容量128GB
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电罗姆集团与意法半导体就碳化硅(sic)晶圆长期供货事宜达成协议
半导体制造商罗姆和意法半导体(以下简称“st”),双方就碳化硅(以下简称“sic”)晶圆由罗姆集团旗下的sicrystal gmbh (以下简称“sicrystal”)供应事宜达成长期供货协议。在sic功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下,双方达成超1.2亿美元的协议,由sicrystal(sic晶圆生产量欧洲)向st(面向众多电子设备提供半导体的性半导体制造商)供应的150mm sic晶圆。
2月小米发布gan充电器65w
小米在2月新品直播发布会上,发布了小米gan充电器type-c 65w,采用氮化,高支持65w疾速充电,搭配小米10 pro可实现50w快充,体积小巧便携。
台积电将与意法半导体合作,加速gan制程技术开发
台积电与意法半导体合作加速市场采用氮化产品。意法半导体预计今年晚些时候将交给客户。台积电与意法半导体将合作加速氮化(gallium nitride, gan)制程技术的开发,并将分离式与整合式氮化元件导入市场。透过此合作,意法半导体将采用台积公司的氮化制程技术来生产其氮化产品。
英飞凌新增650v产品系列,完备硅、碳化硅和氮化3种技术
英飞凌科技(infineon)持续扩展其方位的碳化硅(sic)产品组合,新增650v产品系列。英飞凌新发表的coolsic mosfet能满足广泛应用对于能源效率、功率密度和度不断提升的需求,包括:服务器、电信和工业smps、太阳能系统、能源储存和化成电池、ups、马达驱动以及电动车充电等。英飞凌电源管理与多元电子事业处高压转换部门协理steffen metzger说,推出这项产品后,英飞凌在600v/650v电源领域完备了硅、碳化硅和氮化(gan)型功率半导体产品组合。
根据产业链的消息,台积电也在研发3nm工艺,的是新工艺仍将采用finfet立体晶体管技术,号称与5nm工艺相比,晶体管密度将提高70 ,性能可提升11 ,或者功耗降低27 。从纸面参数来看,三星这一次似乎有望实现反超。不过三星还没有公布3nm工艺的订单情况,台积电则基本确认,客户会包括苹果、amd、nvidia、联发科、赛灵思、博通、高通等,貌似intel也有意寻求台积电的工艺代工。台积电预计将在2nm芯片上应用gaafet技术,要等待三年左右才能面世。 SIL9181CNU SKY74073-13 SKY77328-13 SN65HVD3083EDGS REF198GS-REEL REG710NA-5/3KG4 SC1097D SIL9687CNUC REF5050AIDGKR INA202AIDGKR INA204AIDGSR INA208AIDGSR TL1451ACNSR TL3845DR TPS61000DGSR TPS62300YZDR TPS79628DRBR TPS79425DGNR TPS79433DGNR NCP1215DR2 RH5VL36AA-T1
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