25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电阻是应用于各种电子设备的多的电阻类型，无论怎样安装，维修者都能方便的读出其阻值，便于检测和更换。但在实践中发现，有些电阻的排列顺序不甚分明，往往容易读错，在识别时，可运用如下技巧加以判断：
技巧1：先找标志误差的，从而排定顺序。常用的说电阻误差的颜色是：金、银、棕，尤其是金环和银环，一般绝少用做电阻的环，所以在电阻上只要有金环和银环，就可以基本认定这是电阻的末一环。
技巧2：棕是否是误差标志的判别。棕既常用做误差环，又常作为  数字环，且常常在环和末一环中同时出现，使人很难识别谁是环。在实践中，可以按照之间的间隔加以判别：比如对于一个五道的电阻而言，  五环和  四环之间的间隔比环和环之间的间隔要宽一些，据此可判定的排列顺序。
技巧3：在仅靠间距还无法判定顺序的情况下，还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。比如有一个电阻的读序是：棕、黑、黑、黄、棕，其值为：100×10000=1MΩ误差为1  ，属于正常的电阻系列值，若是反顺序读：棕、黄、黑、黑、棕，其值为140×1Ω=140Ω，误差为1  。显然按照后一种排序所读出的电阻值，在电阻的生产系列中是没有的，故后一种顺序是不对的。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  TSV358IDT LM2904PT LMV324IPT LM339PT TS861ILT LM324PT LMV358LIDT LM358ADT MAX2659ELT+T LM158DT LM311DT LMV324LIDT LM319DT LM2904WYDT LM219DT LM833DT LM258QT LM2903YPT LM2903WYDT LF351DT TS27L2CDT LM358PT LM358ST TL074IDT STD7NM80 LD1086DTTR STP7NK40Z