KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 制备 YIG 薄膜

钇铁石榴石铁氧体 (YIG) 是一种在室温中广泛应用的亚铁磁性材料, 由于其铁磁共振线宽窄、电阻率高、高频损耗小以及具有较高的法拉第旋光效率和较低的传播损耗, 是一种具有潜在应用价值的磁性材料, 不仅应用于现代电子工业及信息产业的微波器件中,如环形器、隔离器等,而且在非互易波导器件、集成光学器件和磁光记忆领域都拥有巨大的应用前景, 因此被广泛研究.

 

陕西某实验室采用伯东   射频磁控溅射沉积方法在 SrTiO3基片上制备 YIG 薄膜, 研究不同溅射参数对薄膜表面形貌、微观结构和磁性能的影响.

 

伯东 KRI  RFICP220 技术参数:

型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

射频磁控溅射法是制备磁性薄膜最为常用的方法之一, 其优点是沉积温度低,可以获得均匀致密、大面积的薄膜,沉积过程中通过调节溅射功率、溅射气压、氧氩比和溅射时间等参数,从而改变薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到高性能的薄膜材料.

 

结果表明:

在其他溅射参数不变的情况下, 薄膜的厚度随溅射时间成正比增长; 在衬底温度为500℃、溅射气压为1 Pa时, YIG 薄膜表面较致密, 晶粒大小均匀; 沉积薄膜的化学组分受氧分压的影响较大, 与靶材成分相比有一定偏差. 溅射气体为纯氩气时, YIG 薄膜的化学组分与靶材化学计量比接近, 制备的YIG薄膜中存在一定量的 Fe2+ 和氧空位; 当退火温度为 750℃ 时, 在氧气中热处理 40 min, 形成纯的 YIG 相,饱和磁化强度为134emu/cm3.

 

KRI 的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 技术的情况下是无法实现的.

 

因此,  该研究项目才采用  辅助溅射沉积工艺.

 

伯东是德国  ,  , , , 美国  , 美国, 美国  , 美国 Ambrell 和日本 NS 等进口品牌的指定代理商.

 

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