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 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。  有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。回收TAIYO/太诱进口IC 回收英飞凌芯片回收maxim/美信信号放大器回收silergy网口IC芯片回收infineon发动机管理芯片回收adi计算机芯片回收semtech网口IC芯片回收安森美驱动IC 回收威世降压恒温芯片回收NXP汽车电脑板芯片回收PARADE谱瑞手机存储芯片回收中芯汽车主控芯片回收MICRON/美光BGA芯片回收艾瓦特稳压器IC 回收飞思卡尔MOS管场效应管回收silergy逻辑IC 回收鑫华微创WIFI芯片回收WINBOND华邦MCU电源IC 回收MARVELLWIFI芯片回收PARADE谱瑞车充降压IC 回收silergy稳压器IC 回收GENESIS起源微电源管理IC 回收intel路由器交换器芯片