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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G