无锡回收TOSHIBA东芝内存条64GB+4G
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 TPS51200DRCR
STM32F030K6T6
STM32F407VGT6
STM32F103ZET6
MS51FB9AE
GD32F103CBT6
LPC1768FBD100
STM32F405RGT6
STM32F105RBT6
ATMEGA328P-AU
LIS2DH12TR
GD32F103RBT6
GD32F103RET6回购工厂库存电子料,3gs模块,苹果手机各种大小原厂配件,数码芯片,东芝flash芯片,群创液晶屏,现代emmc,电子ic芯片,现代字库h9da4gh4jjam,tkd钽电容,各种tf卡,华邦系列flash等等。
回购k9k场效应管,海力士内存,厂家库存呆料,霍尔元件,各种电子元器件,电感系列,通信ic产品类ic,工厂库存电子元件,现代4g内存芯片,海力士flash芯片,电源ic,音效ic等等。 随着nand flash制程进步与线路宽度与间距的微缩，连带影响到抹写次数（p/e cycles）的缩减。slc存储器从3x 制程的100，000次p/e cycles、4个ecc bit到2x 制程降为60，000 p/e、ecc 24bit。mlc从早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程时已降为3，000 p/e、24~40个ecc bit。 有厂商提出，eslc、islc的存储器解决方案，以运用既有的低成本的mlc存储器，在单一细胞电路单元使用slc读写技术（只储存单一位元的电荷值），抹写度提升到30，000次p/e，成本虽比mlc高，但远于slc，可应用在ipc／kiosk／pos系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。 TS391RILT TSV734IPT TSX3702IST VN340SPTR-E VN5025AJTR-E VN5E050J-E VN800PSTR-E VND5025AK-E VND5E025AKTR-E VND600SPTR-E VNP35NV04-E VNQ5E160AKTR-E ULN2069B ULN2074B VIPER06HN VIPER26LN VIPER35LD VN340SP-33-E VND7NV04-E VNQ600PTR-E X-NUCLEO-IKA01A1 SMC30J33CA VN808CM-32-E VN808CM-E VN820SP-E
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