25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

  半导体供需关系紧张，dram 存储价格大幅上涨：近期，半导体重要供应链地区日本发生规模 7.3强震，美国德州奥斯汀受暴风雪侵袭导致电力供应系统失灵，半导体工厂停工影响产能。供给吃紧的芯片产能，经历日本地震、美国暴风雪停电事件后，以汽车电子为代表的芯片缺货潮恐将持续。此外，功率半导体于 2020年 q4迎来波涨价潮后，行业供需格局仍紧张，2021年一季度公司二次调涨价格，行业景气度。此次半导体行业涨价潮覆盖范围广，涵盖晶圆代工、封测、存储、功率、cis 等多个环节或产品，供给端晶圆产能扩张缓慢，短期供需紧张关系或将持续。2021年 2月 dxi 指数上升 6308.44点，涨幅 22.99 ；dram颗粒价格涨幅为 37.61 ，nand flash 颗粒价格涨幅 1.21 。2021年存储价格回暖明显，dxi 指数和 dram 颗粒价格大幅上涨，受益汽车、消费电子、数据 等需求复苏与备库存，2021年存储行业价格回升有望持续。

  投资建议：1）消费电子建议 iphone 无线通讯模组以及 sip模组供应商环旭电子（601231）；cmos 芯片供应商韦尔股份（603501）；存储器相关公司兆易（603986）；国内泛射频信维通信（300136）；国内 odm 和功率半导体的闻泰科技（600745）；国内被动元件相关公司风华高科（000636）；2）半导体建议代工中芯；封测板块长电科技（600584）、华天科技（002185）、通富微电（002156）、晶方科技（603005）；半导体材料板块沪硅产业、安集科技；半导体设备板块中微公司、汉钟精机（002158）、新莱应材（300260）；功率半导体厂商华润微；液晶面板厂商京东方、tcl 科技；液晶面板和玻璃基板业务的公司彩虹股份（600707）；偏光片相关公司三利谱（002876）。3）miniled 和照明双驱动，建议 led 产业链标的瑞丰光电（300241）、鸿利智汇（300219）、三安光电（600703）、华灿光电（300323）、乾照光电（300102）、聚飞光电（300303）。

市场震荡式下跌电子行业涨上涨2.3 ： 2021年 10周申万电子行业指数上涨2.3 ，跑赢300指数3.7个百分点，在28个申万行业指数中位列 7，。3月以来市场整体呈震荡式下跌，股投资热情进一步退散，但电子板块淡季不淡的行情呈现出资金回流的迹象，上周涨幅强于大部分行业且跑赢大市。海外方面，香港、美国和台湾科技业指数均下跌。

  春季新机陆续发布，21q1淡季不淡：：上周oppo、vivo发布了新机，3月作为春季新机集中发布期将迎来2021年波新机上市高峰，去年对5g进度造成影响，今年有望成为5g 受益的年份。此前，高通、联发科预测2021年5g手机出货量将达到5亿部。根据国内信通院公布的数据，1月手机出货量同比大增92.8 ，由于去年低基数效应2021年q1不管是终端出货量数据还是供应链业绩都将呈现“淡季不淡”的行情，但由于供应端芯片短缺、安卓系市场格局不明朗等因素，我们对终端产品市场仍保持谨慎态度。

  成熟制程“松绑”，供应链产能为王：上周中芯部分美国设备供应商获得供应许可，14nm及以上成熟制程禁令“松绑”，我国晶圆代工在成熟制程上的发展前景进一步明朗，我们预期未来将有美国设备供应商获得供应许可。当前，半导体产业引发多轮涨价潮，且蔓延至硅片等原材料供应商，而扩产存在较长周期导致短期内无法通过产能新增供应紧缺问题，因此拥有产能势的厂商将受益。进入21q1末，一季度业绩将逐渐浮出水面，涨价将随之体现在业绩层面，建议具备产能规模的供应链厂商。

  面板 供应受限价格续涨，格局巩固：：面板方面，群智咨询公布2月面板价格预测，tv大尺寸价格涨幅金额约3~8美金/片，玻璃基板、driver-ic供应紧缺短期内无法，面板 供给受限，而需求端持续景气，因此厂商业绩将进一步释放。目前国内面板格局，京东方和华星光电成为大尺寸，深天马为中小尺寸，行业话语权集中至，周期性有望随之减弱。

  投资建议：本周投资建议维持“同步大市-a”评级，21q1因低基数效应呈现淡季不淡行情，但宏观层面风险仍然存在，因此短期内建议谨慎。子板块分析来看：终端产品，春季新机潮来临，基数效应使得供应链21h1增长明确，但需求持续性有待进一步验证；半导体方面，涨价缺货行情仍在延续，情况下产能势受益；显示板块，面板价格持续上涨，头部厂商业绩释放有望维持至21h1。当前，子板块推荐半导体封测、模拟电路国内、周期性向好的面板以及受益国产化需求的被动元器件。个股方面，我们推荐业绩增长确定性高的标的，为长电科技（600584）（600584）、思瑞浦（688536）、圣邦股份（300661）（300661）、马深天马a（000050）和江海股份（002484）（002484）。

  风险提示：反复影响宏观经济和行业整体供需；中美升级带来的不利影响；5g带来的终端需求增长速度不及预期或者需求释放时间晚于预期；国产化自主可控的产业政策推出与落地实施不及预期风险；技术开发演进速度不及预期。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  ULN2004D1013TR M95M01-RMN6TP LMV358IDT LM2903PT LM217MDT-TR LD3985M33R LD1086D2M33TR BAR43SFILM TDA7377 STM32F051K8T6TR STM32F103ZET6 STM32L100R8T6ATR STM32F437ZIT7 STM32F446VET6TR STM32F446ZCT6 STM32F446ZET6 STM32F722IEK6 STM32F723IET6 STM32F7308-DK STM32F745VGH6 STM32F745ZGT6 STM32F746IGT6