25小时在线 158-8973同步7035 可微可电在新增的股东中，oppo投资了128.9万，占比6.5 。这是oppo在2020年2月公开名为“马里亚纳计划”的芯片计划后，现后投资了上海南芯半导体、上海瀚巍微电子、广东微容电子、江苏长晶科技等多家半导体公司。根据公开资料显示，oppo此次投资的威兆半导体是威兆科技（vs）的资子公司。威兆科技由海外功率器件技术团队2010年在香港成立，并于2012年12月，在深圳南山科技园设立资子公司威兆半导体有限公司，当时的注册资本为500万。据其介绍，该公司现有员工56人，研发人员6人。威兆于大功率mosfet器件研发设计。产品涉及新型igbt、超结新型器件、高\中\低压场效应管、压降肖特基、快恢复二 管及器件模块化应用设计；采用新工艺平台设计各类新工艺结构产品，致力于提高产品在系统中的能效转换。此外，该公司还有一款gan芯片产品。，目前威兆半导体凭借完善的技术支持、工艺研发、质量控制体系，赢得了超过10家终端品牌及数百家odm/oem厂商的认证供应商资格。2020年威兆半导体产品总体出货数量超过10亿颗。其产品广泛应用于led照明，ups电源系统，太阳能逆变器，锂电池保护电路，电焊机，高速针式打印机，工业缝纫机，航模电子调速器，大功率直流电机驱动器等。随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR