苏州回收闪迪内存条MT48LC16M16A2P-7E:G
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micron自家市场统计预测指出，从2012到2016年总体nand flash容量应用的年复合成长率可达51 。2013年，美光（micron）与sk hynix两家晶圆厂，先后发表16nm制程的nand flash存储器技术，而东芝（toshiba）则在2014年直接跨入15nm制程，并推出相关nand flash存储器芯片产品。 nand flash传输速率，从2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0规格，传输速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0传输速率为2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0传输速率倍增为5.8gbps；预估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx规格定义的传输速率增到800mb/s、1.6gb/s。 LMV552MMX PH9130AL LMP7715MFX BYQ28E-200 BYV29FX-600 TMP512AIDR ADF4153BCPZ TDA9981BHL/8/C1 FAN2106MP ISP1104W PCA9535BS LM4120AIM5X-4.1 LP3470M5X-3.08 BFG505 MIC5235-3.3YM5 P4SMA30A-E3/61 LP3470M5-4.63 MIC2142YM5 LP3990MF-1.2 LP3990MFX-1.2 LM4050AEM3-5.0 PBSS4160T NUP4201MR6T1G
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