25小时在线 158-8973同步7035 可微可电

当今的算法主要是软硬件算法两大路径：使用cpu来驱动算法，虽然部署简便，但由于cpu发展面临瓶颈，时延难以突破，因此缺乏市场竞争力，硬件算法方式需要开发商基于it系统进行设计和架构，虽然因一定程度解决时延问题具备较强的竞争力，但成本高且交付周期长，潜在风险大；而从软件算法转换成硬件方式，门槛则非常高。
如何困扰当今众多厂商面临的这些挑战、帮助客户无需硬件开发就可以达到微秒级的低时延要求？
赛灵思推出的 alveo smartnic sn1000加速卡就是这样一个开箱即用的加速算法解决方案。
2×100gb的alveo sn1000是业界硬件可组合式smartnic，符合数据 封装的尺寸需求，而功耗仅为75瓦。sn1000采用16核nxp arm soc构建，ultrascale+ fpga架构、arm的子系统以及可编程的viits networking等特性，可满足市场不断变化的需求。
由于预行了硬件加速，sn1000 smartnic稍加配置即可对远程存储、nvme或其他流量以及安和防火墙进行加速，实现了开箱即用、即插即用，同时维持相关性能不变。
sn1000 的另一个特性是，可以非常方便地移除预制某些功能，然后基于其统一软件平台vitis新打造的vitis networking，使用类似p4这样的语言对数据面进行编程，也可以使用c和c++的语言对于arm进行控制和流量的管理，满足客户自认为非常重要的应用领域。无论是配置还是加速，均可由赛灵思或客户来实现，亦可由客户的客户或 的软件和ip合作伙伴来实现。这体现了赛灵思所提供的的可编程的灵。

 

flash和eeprom的大区别是flash按扇区操作，eeprom则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比eeprom低，因而适合用作程序存储器，eeprom则 的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行，但操作比eeprom麻烦的多，所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有flash，早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构，现在已基本上停产了。现在的单片机,ram主要是做运行时数据存储器,flash主要是程序存储器,eeprom主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 1、ram rom和ram指的都是半导体存储器，rom是read only memory的缩写，ram是random access memory的缩写。rom在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而ram通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的ram就是计算机的内存。 sram和dram区别ram有两大类：ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G