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随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  回收飞利浦网卡芯片回收ST意法进口新年份芯片回收亚德诺MOS管场效应管回收ti德州仪器电池充电管理芯片回收LINEAR芯片回收silergy汽车电脑板芯片回收凌特手机存储芯片回收NIKO-SEM尼克森电池充电管理芯片回收kingbri进口新年份芯片回收WINBOND华邦WIFI芯片回收TOSHIBA汽车电脑板芯片回收丽晶微传感器芯片回收韦克威开关电源IC 回收罗姆声卡芯片回收英飞凌传感器芯片回收idt音频IC 回收艾瓦特电源管理IC 回收丽晶微BGA芯片回收Vincotech电源管理IC 回收艾瓦特封装TO-220三极管回收飞利浦声卡芯片回收maxim传感器芯片回收亚德诺蓝牙芯片回收威世MOS管场效应管回收亚德诺发动机管理芯片回收瑞昱封装QFP144芯片回收ATMLE进口新年份芯片回收HOLTEK合泰BGA芯片回收NIKO-SEM尼克森全新整盘芯片回收VISHAY声卡芯片回收SAMSUNG收音IC 回收瑞昱封装TO-220三极管回收idesyn收音IC 回收GENESIS起源微稳压管理IC 回收Vincotech稳压管理IC 回收飞思卡尔MOS管回收idt电池充电管理芯片回收kerost进口新年份芯片回收GENESIS起源微MCU电源IC 回收kerost升压IC 回收toshiba封装sot23-5封装芯片回收GENESIS起源微WIFI芯片回收飞思卡尔MCU电源IC 回收silergy芯片回收艾瓦特信号放大器回收arvin微控制器芯片