25小时在线 158-8973同步7035 可微可电把万用表的黑表笔（表内正 ）搭触二 管的正 ，，红表笔（表内负 ）搭触二 管的负 。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二 管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。
  2、反向特性测试
  把万且表的红表笔搭触二 管的正 ，黑表笔搭触二 管的负 ，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。
二 管的应用
  1、整流二 管
  利用二 管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。
  2、开关元件
  二 管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二 管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
  3、限幅元件
  二 管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度在一定范围内。
  4、继流二 管
  在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
  5、检波二 管
  在收音机中起检波作用。
  6、变容二 管
  使用于电视机的中。
  
东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  AD8565AKSZ AD8226ARMZ ADA4891-2ARMZ AD8221ARMZ OP1177ARMZ OP282ARMZ OP2177ARMZ MAX176AMJA/883B AS0BC21-S40BM-7H SII9244BOTR K4P2E304EQ-PGC2 K3QF2F200E-XGCB MSM8230-3AB K3PE7E700B-XXC1 K3PE7E700M-BGC2 MPU-6051M SRV25-4-T7 MT53E256M32D2DS-053AIT:B AD8052ARMZ SCV7538B1 P2S56D40BTP KLMBG4GE2A-A001 TWL6032A1BBYFFR SKY77704-4 AD7477ARTZ AD7999YRJZ-1 ADG419BRMZ ADG736LBRMZ MAX1745AUB