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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

rom也有很多种，prom是可编程的rom，prom和eprom（可擦除可编程rom）两者区别是，prom是也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而eprom是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种eeprom是通过电子擦出，价格，写入时间很长，写入很慢。手机软件一般放在eeprom中，我们打电话，有些后拨打的号码，暂时是存在sram中的，不是马上写入通过记录（保存在eeprom中），因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。 flash存储器又称闪存，它结合了rom和ram的长处，不仅具备电子可擦除可编程（eeprom）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（nvram的势） rom（eprom）作为它们的存储设备，然而近年来 flash代替了rom（eprom）在嵌入式系统中的，用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（u盘）。目前flash主要有两种nor flash和nadn flash。 3、flashAD9353BCPZ-REEL LB1836ML-TLM-E PGA116AIPWR M81736FP AO4566 AON6560 ADBS-A320 SN74CBT3125PWR STF16N65M2 LM337LMX/NOPB 853S111BYILFT L3GD20HTR W25X40VNIG TLV71333PQDBVRQ1 TXS0102YZPR 88EM8183B2-SAE2C000TAL04 LP5912-2.8DRVR TL431IPK TLV62569DBVR BQ24123RHLR SD8585STR TPS562209DDCR TPS51200DRCT TPS54061QDRBTQ1 TPS22810DBVR