ASE0510SH-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE0510SH
编辑：ll
ASE0510SH-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE0510SH
型号：ASE0510SH
品牌：ASEMI
封装：SOT-89
大漏源电流：5A
漏源击穿电压：100V
RDS（ON）Max：0.14Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~150℃
备受欢迎的ASE0510SH MOS管
ASEMI品牌ASE0510SH是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE0510SH的大漏源电流5A，漏源击穿电压100V.
•细节体现差距
ASE0510SH,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
ASE0510SH具体参数为：大漏源电流：5A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：SOT-89
郑重声明：资讯 【ASE0510SH-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE0510SH】由 深圳市强元芯电子有限公司 发布，版权归原作者及其所在单位，其原创性以及文中陈述文字和内容未经(企业库qiyeku.com)证实，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。若本文有侵犯到您的版权， 请你提供相关证明及申请并与我们联系（qiyeku # qq.com）或【在线投诉】，我们审核后将会尽快处理。
—— 相关资讯 ——
