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ASEMI代理FGH60N60SFD安森美FGH60N60SFD车规级IGBT
型号:FGH60N60SFD
品牌:ON/安森美
封装:TO-247
大漏源电流:60A
漏源击穿电压:600V
RDS(ON)Max:mΩ
引脚数量:3
特性:IGBT二极管
芯片个数:
沟道类型:
漏电流:ua
特性:IGBT、二极管
工作温度:-55℃~175℃
备受欢迎的FGH60N60SFD二极管
安森美品牌FGH60N60SFD是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了FGH60N60SFD的大漏源电流60A,漏源击穿电压600V.
•细节体现差距
FGH60N60SFD,安森美品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
FGH60N60SFD具体参数为:大漏源电流:60A,漏源击穿电压:600V,反向恢复时间: ns,封装:TO-247