50N06S-ASEMI低压N沟道MOS管50N06S
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50N06S-ASEMI低压N沟道MOS管50N06S
型号：50N06S
品牌：ASEMI
封装：TO-252
大漏源电流：50A
漏源击穿电压：60V
RDS（ON）Max：0.15Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~175℃
备受欢迎的50N06S MOS管
ASEMI品牌50N06S是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了50N06S的大漏源电流50A，漏源击穿电压60V.
•细节体现差距
50N06S,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
50N06S具体参数为：大漏源电流：50A，漏源击穿电压：60V，反向恢复时间： ns，封装：TO-252
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