ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50
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ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50
型号：ASE28N50
品牌：ASEMI
封装：TO-247
大漏源电流：28A
漏源击穿电压：500V
RDS（ON）Max：0.2Ω
引脚数量：3
芯片个数：
沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55℃~175℃
备受欢迎的ASE28N50 MOS管
ASEMI品牌ASE28N50是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE28N50的大漏源电流28A，漏源击穿电压500V.
•细节体现差距
ASE28N50,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
ASE28N50具体参数为：大漏源电流：28A，漏源击穿电压：500V，反向恢复时间： ns，封装：TO-247
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