25小时在线 158-8973同步7035 可微可电苹果公司周一称，今年晚些时候将推出采用自研芯片的mac电脑。此举将结束苹果与英特尔公司(inte .,intc)长达15年的技术合作关系。苹果公司说，该公司定制的芯片效率更高，图形处理性能也更高。苹果公司2010年发布了该公司的款iphone处理器。这一计划符合苹果公司用自己设计的零部件替换许多 三方零部件的整体战略。据 科技行业分析师waynelam估计，目前iphones的零部件中约42 由苹果自己生产，而不到五年前，这一比例仅为8 。随着苹果公司未来开发出调制解调器芯片和传感器，预计该比例会进一步上升。自研零部件降低了苹果公司的成本，并提升了该公司产品的性能，还增强了其对未来新产品的掌控。分析师估计，上述新的mac电脑芯片将使每台mac电脑的生产成本降低75-150美元。他们说，苹果公司可以将节省下来的成本回馈给客户和股东。这一战略源于已故苹果联合创始人乔布斯(stevejobs)倡导的苹果哲学，即拥有可以带来竞争势。的芯片和传感器可以帮助其iphone、ipad和mac在电池性能和功能上竞争。还可以保护苹果免受购买通用零部件的竞争的影响。随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  TMP82C265BF-10 VSC7395XYV BD45285G-TR FDS8978 S1D13305F00B200 MC74LCX16373DTR2 CY2304SXC-1T BR9020F-WE2 AD5227BUJZ10-RL7 PCD50923H/C96 TPS40140RHHR B39741-B8566-P810 NM93C46M8X PCA9540BDP HAT2153RJ-EL-E CEG231G95ECB100RB5 W83L604G CY7C68014A-56LFXC APN337S3959 MC74LCX244DTR2G 74AHC1G04GW CD4556BE MC3450P M37451E8FP EPM3064ATC100-10