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ddr4较以往不同的是改采vddq的终端电阻设计，v- 目前计划中的传输速率进展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133传输速率快了50 ，将来不排除直达4，266mbps；bank数也大幅增加到16个（x4/x8）或8个（x16/32），这使得采x8设计的单一ddr4存储器模组，容量就可达到16gb容量。  而ddr4运作电压仅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v还低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v还要低，再加上ddr4一次支援 省电技术（deep power down），进入休眠模式时无须更新存储器，或仅直接更新dimm上的单一存储器颗粒，减少35 ~50 的待机功耗。  SSM6K513NU TB6643KQ(O,8) TB67B001FTG(O,EL) TB67H450FNG IR2101STRPBF IGW60T120 IKW20N60T IKW25N120T2 IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7 IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G LM317LDR2G MMBZ5231BLT1G MAX708ESA-TG FAN6300AMY FAN73711MX FAN7631SJX FSL116LR FSL136MR GD32F103VET6 GD32F103RCT6 GD32F103C8T6