25小时在线 158-8973同步7035 可微可电所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,nand发生的次数要比nor多),一个比特位会发生反转或被反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是有问题,多读几次就可能解决了。
当然,如果这个位真的改变了,就 采用错误探测/错误更正(edc/ecc)算法。位反转的问题 见于nand闪存,nand的供应商建议使用nand闪存的时候,同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他时, 使用edc/ecc系统以性。
坏块处理
nand器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,不划算。
nand器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。
软件支持
当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高的用于磁盘和闪存管理算法的软件,包括性能化。
在nor器件上运行代码不需要的软件支持,在nand器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(mtd),nand和nor器件在进行写入和擦除操作时都需要mtd。
使用nor器件时所需要的mtd要相对少一些,许多厂商都提供用于nor器件的更软件,这其中包括m-system的trueffs驱动,该驱动被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等厂商所采用。
根据产业链的消息，台积电也在研发3nm工艺，的是新工艺仍将采用finfet立体晶体管技术，号称与5nm工艺相比，晶体管密度将提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。从纸面参数来看，三星这一次似乎有望实现反超。不过三星还没有公布3nm工艺的订单情况，台积电则基本确认，客户会包括苹果、amd、nvidia、联发科、赛灵思、博通、高通等，貌似intel也有意寻求台积电的工艺代工。台积电预计将在2nm芯片上应用gaafet技术，要等待三年左右才能面世。 TMP82C265BF-10 VSC7395XYV BD45285G-TR FDS8978 S1D13305F00B200 MC74LCX16373DTR2 CY2304SXC-1T BR9020F-WE2 AD5227BUJZ10-RL7 PCD50923H/C96 TPS40140RHHR B39741-B8566-P810 NM93C46M8X PCA9540BDP HAT2153RJ-EL-E CEG231G95ECB100RB5 W83L604G CY7C68014A-56LFXC APN337S3959 MC74LCX244DTR2G 74AHC1G04GW CD4556BE MC3450P M37451E8FP EPM3064ATC100-10