25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电阻是应用于各种电子设备的多的电阻类型，无论怎样安装，维修者都能方便的读出其阻值，便于检测和更换。但在实践中发现，有些电阻的排列顺序不甚分明，往往容易读错，在识别时，可运用如下技巧加以判断：
技巧1：先找标志误差的，从而排定顺序。常用的说电阻误差的颜色是：金、银、棕，尤其是金环和银环，一般绝少用做电阻的环，所以在电阻上只要有金环和银环，就可以基本认定这是电阻的末一环。
技巧2：棕是否是误差标志的判别。棕既常用做误差环，又常作为  数字环，且常常在环和末一环中同时出现，使人很难识别谁是环。在实践中，可以按照之间的间隔加以判别：比如对于一个五道的电阻而言，  五环和  四环之间的间隔比环和环之间的间隔要宽一些，据此可判定的排列顺序。
技巧3：在仅靠间距还无法判定顺序的情况下，还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。比如有一个电阻的读序是：棕、黑、黑、黄、棕，其值为：100×10000=1MΩ误差为1  ，属于正常的电阻系列值，若是反顺序读：棕、黄、黑、黑、棕，其值为140×1Ω=140Ω，误差为1  。显然按照后一种排序所读出的电阻值，在电阻的生产系列中是没有的，故后一种顺序是不对的。
  处理器（cpu）、绘图芯片（gpu）运算效能随摩尔定律而飞快进展，加上云端运算、网际网路行动化浪潮下，持续驱动动态存储器（dynamic ram；dram）的规格进化。从非同步的dip、edo dram，到迈向同步时脉操作的sdram开始，以及讯号上下缘触发的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存储器，甚至导入20 与新型态的wide i/o介面以降低讯号脚位数与整体功耗。  处理器速度与云端运算持续驱动动态存储器规格的演变，从dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel STB30NF20L STD105N10F7AG STD11N60DM2 STD13N65M2 STD80N10F7 STF10N60DM2 STF11N60DM2 STF18N60DM2 TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR CSD18532Q5B TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1 TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G38DCKR LM5009AMM/NOPB TPS259573DSGR