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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

根据产业链的消息，台积电也在研发3nm工艺，的是新工艺仍将采用finfet立体晶体管技术，号称与5nm工艺相比，晶体管密度将提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。从纸面参数来看，三星这一次似乎有望实现反超。不过三星还没有公布3nm工艺的订单情况，台积电则基本确认，客户会包括苹果、amd、nvidia、联发科、赛灵思、博通、高通等，貌似intel也有意寻求台积电的工艺代工。台积电预计将在2nm芯片上应用gaafet技术，要等待三年左右才能面世。回收beiling车充降压IC 回收ONMOS管回收飞思卡尔传感器芯片回收鑫华微创触摸传感器芯片回收凌特全新整盘芯片回收TOSHIBA逻辑IC 回收赛灵思封装TO-220三极管回收ST意法电源监控IC 回收TOSHIBA封装TO-220三极管回收INFINEON封装QFP144芯片回收MarvellMOS管场效应管回收艾瓦特发动机管理芯片回收INTERSIL触摸传感器芯片回收SGMICRO圣邦微SOP封装IC 回收RENESAS电源监控IC 回收VincotechDOP封装芯片回收中芯收音IC 回收IRMOS管场效应管回收矽力杰网口IC芯片回收瑞萨封装SOP20芯片回收kerost网卡芯片回收赛灵思封装QFN进口芯片回收fsc仙童声卡芯片回收ti德州仪器微控制器芯片回收Vincotech封装QFP144芯片回收WINBOND华邦aurix芯片回收CJ长电DOP封装芯片回收赛灵思蓝牙芯片回收亚德诺计算机芯片回收IR封装QFP144芯片回收WINBOND华邦封装sot23-5封装芯片回收中芯进口IC 回收kingbri原装整盘IC 回收飞利浦手机存储芯片回收toshiba车充降压IC 回收XilinxDOP封装芯片回收silergySOP封装IC 回收infineonMCU电源IC 回收PARADE谱瑞封装SOP20芯片回收idesynMOS管回收kingbriADAS处理器芯片回收Vincotech收音IC