半导体供需关系紧张,dram 存储价格大幅上涨:近期,半导体重要供应链地区日本发生规模 7.3强震,美国德州奥斯汀受暴风雪侵袭导致电力供应系统失灵,半导体工厂停工影响产能。供给吃紧的芯片产能,经历日本地震、美国暴风雪停电事件后,以汽车电子为代表的芯片缺货潮恐将持续。此外,功率半导体于 2020年 q4迎来波涨价潮后,行业供需格局仍紧张,2021年一季度公司二次调涨价格,行业景气度。此次半导体行业涨价潮覆盖范围广,涵盖晶圆代工、封测、存储、功率、cis 等多个环节或产品,供给端晶圆产能扩张缓慢,短期供需紧张关系或将持续。2021年 2月 dxi 指数上升 6308.44点,涨幅 22.99 ;dram颗粒价格涨幅为 37.61 ,nand flash 颗粒价格涨幅 1.21 。2021年存储价格回暖明显,dxi 指数和 dram 颗粒价格大幅上涨,受益汽车、消费电子、数据 等需求复苏与备库存,2021年存储行业价格回升有望持续。
投资建议:1)消费电子建议 iphone 无线通讯模组以及 sip模组供应商环旭电子(601231);cmos 芯片供应商韦尔股份(603501);存储器相关公司兆易(603986);国内泛射频信维通信(300136);国内 odm 和功率半导体的闻泰科技(600745);国内被动元件相关公司风华高科(000636);2)半导体建议代工中芯;封测板块长电科技(600584)、华天科技(002185)、通富微电(002156)、晶方科技(603005);半导体材料板块沪硅产业、安集科技;半导体设备板块中微公司、汉钟精机(002158)、新莱应材(300260);功率半导体厂商华润微;液晶面板厂商京东方、tcl 科技;液晶面板和玻璃基板业务的公司彩虹股份(600707);偏光片相关公司三利谱(002876)。3)miniled 和照明双驱动,建议 led 产业链标的瑞丰光电(300241)、鸿利智汇(300219)、三安光电(600703)、华灿光电(300323)、乾照光电(300102)、聚飞光电(300303)。
市场震荡式下跌电子行业涨上涨2.3 : 2021年 10周申万电子行业指数上涨2.3 ,跑赢300指数3.7个百分点,在28个申万行业指数中位列 7,。3月以来市场整体呈震荡式下跌,股投资热情进一步退散,但电子板块淡季不淡的行情呈现出资金回流的迹象,上周涨幅强于大部分行业且跑赢大市。海外方面,香港、美国和台湾科技业指数均下跌。
春季新机陆续发布,21q1淡季不淡::上周oppo、vivo发布了新机,3月作为春季新机集中发布期将迎来2021年波新机上市高峰,去年对5g进度造成影响,今年有望成为5g 受益的年份。此前,高通、联发科预测2021年5g手机出货量将达到5亿部。根据国内信通院公布的数据,1月手机出货量同比大增92.8 ,由于去年低基数效应2021年q1不管是终端出货量数据还是供应链业绩都将呈现“淡季不淡”的行情,但由于供应端芯片短缺、安卓系市场格局不明朗等因素,我们对终端产品市场仍保持谨慎态度。
成熟制程“松绑”,供应链产能为王:上周中芯部分美国设备供应商获得供应许可,14nm及以上成熟制程禁令“松绑”,我国晶圆代工在成熟制程上的发展前景进一步明朗,我们预期未来将有美国设备供应商获得供应许可。当前,半导体产业引发多轮涨价潮,且蔓延至硅片等原材料供应商,而扩产存在较长周期导致短期内无法通过产能新增供应紧缺问题,因此拥有产能势的厂商将受益。进入21q1末,一季度业绩将逐渐浮出水面,涨价将随之体现在业绩层面,建议具备产能规模的供应链厂商。
面板 供应受限价格续涨,格局巩固::面板方面,群智咨询公布2月面板价格预测,tv大尺寸价格涨幅金额约3~8美金/片,玻璃基板、driver-ic供应紧缺短期内无法,面板 供给受限,而需求端持续景气,因此厂商业绩将进一步释放。目前国内面板格局,京东方和华星光电成为大尺寸,深天马为中小尺寸,行业话语权集中至,周期性有望随之减弱。
投资建议:本周投资建议维持“同步大市-a”评级,21q1因低基数效应呈现淡季不淡行情,但宏观层面风险仍然存在,因此短期内建议谨慎。子板块分析来看:终端产品,春季新机潮来临,基数效应使得供应链21h1增长明确,但需求持续性有待进一步验证;半导体方面,涨价缺货行情仍在延续,情况下产能势受益;显示板块,面板价格持续上涨,头部厂商业绩释放有望维持至21h1。当前,子板块推荐半导体封测、模拟电路国内、周期性向好的面板以及受益国产化需求的被动元器件。个股方面,我们推荐业绩增长确定性高的标的,为长电科技(600584)(600584)、思瑞浦(688536)、圣邦股份(300661)(300661)、马深天马a(000050)和江海股份(002484)(002484)。
风险提示:反复影响宏观经济和行业整体供需;中美升级带来的不利影响;5g带来的终端需求增长速度不及预期或者需求释放时间晚于预期;国产化自主可控的产业政策推出与落地实施不及预期风险;技术开发演进速度不及预期。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆叠nand设计概念,同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器,2007年东芝发表bics,2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat,2010年旺宏发表vg tft,2011发表pnvg tft,同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技术装置的vg(垂直闸) 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程,2013年进入36nm制程,2015年进入2xnm制程,制程进度落后其他大厂甚多。 三星(samsung)同样于2006年发表stacked nand,2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技术和垂直堆叠单元结构,单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多两倍,性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者,v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟,从2013年 四季开始,陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。 回收鑫华微创MOS管场效应管回收PANASONIC进口IC 回收海旭封装TO-220三极管回收NXP蓝牙IC 回收英飞凌MOS管场效应管回收亚德诺BGA芯片回收芯成封装QFN进口芯片回收PARADE谱瑞收音IC 回收infineon逻辑IC 回收PANASONICSOP封装IC 回收fsc仙童全新整盘芯片回收MarvellADAS处理器芯片回收toshiba封装QFP芯片回收SGMICRO圣邦微MOS管场效应管回收亿盟微网口IC芯片回收PANASONIC进口新年份芯片回收凌特电池充电管理芯片回收beiling进口芯片回收瑞昱进口IC 回收NS电源监控IC 回收ON汽车电脑板芯片回收ti德州仪器汽车电脑板芯片回收maxim/美信隔离恒温电源IC 回收NXP路由器交换器芯片回收HOLTEK合泰芯片回收美满发动机管理芯片回收MARVELL汽车主控芯片回收英飞凌集成电路芯片回收海旭进口IC 回收东芝MOS管回收SGMICRO圣邦微路由器交换器芯片回收fsc仙童SOP封装IC 回收INFINEON电池充电管理芯片回收WINBOND华邦降压恒温芯片回收INTERSIL电源管理IC 回收INTERSIL收音IC 回收爱特梅尔开关电源IC 回收丽晶微封装TO-220三极管回收Marvell网卡芯片回收GENESIS起源微汽车电脑板芯片回收kingbriSOP封装IC 回收LINEAR传感器芯片回收WINBOND华邦触摸传感器芯片回收semiment蓝牙芯片回收VincotechWIFI芯片回收MICRON/美光网口IC芯片回收中芯车充降压IC 回收爱特梅尔手机存储芯片回收英飞凌手机存储芯片回收SGMICRO圣邦微隔离恒温电源IC 回收atheros计算机芯片回收IR电源管理IC 回收瑞昱ADAS处理器芯片回收中芯封装QFP144芯片回收罗姆逻辑IC 回收semtech电源监控IC 回收尚途sunto集成电路芯片回收矽力杰封装QFN进口芯片回收fsc仙童微控制器芯片回收瑞昱传感器芯片回收松下蓝牙芯片回收Marvell升压IC 回收飞利浦全新整盘芯片回收NXP逻辑IC 回收semiment封装QFP144芯片回收ON音频IC 回收亚德诺声卡芯片回收海旭触摸传感器芯片回收idesyn发动机管理芯片回收atheros进口新年份芯片回收罗姆微控制器芯片回收丽晶微蓝牙芯片回收ON蓝牙IC 回收尚途sunto稳压管理IC 回收爱特梅尔封装sot23-5封装芯片回收飞思卡尔封装QFP芯片回收TOSHIBA封装QFP芯片回收LINEAR音频IC 回收松下隔离恒温电源IC 回收beiling信号放大器回收ON全新整盘芯片回收RENESAS稳压器IC 回收ST意法发动机管理芯片回收maxim/美信蓝牙IC 回收idesyn封装SOP20芯片回收fsc仙童进口新年份芯片回收尚途suntoMCU电源IC 回收松下全新整盘芯片回收海旭原装整盘IC 回收SAMSUNG封装TO-220三极管回收罗姆WIFI芯片