25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 1）1001说的是1010^2=1k，1002说的是1010^3=10k，1502说的是1510^3=15k，以此类推， 2）除了用四位数说±1 精度的贴片电阻以外，还有用划线的方法，来说±1 精度的，比如：103说的就是10k ±1 精度的贴片电阻，562说的就是5.6k ±1 精度的贴片电阻那么，上面是丝印的一种直接读数的方法，除此之外，还有另一种丝印代码的方法：e-96代码的丝印标识方法，它的精度也是±1 ，关于这种丝印的代码标识，它有自己的一套计算公式，大家可以去查表，不用刻意的去记住它。这样的标识方法也有它的相关标准的，作为电子来说，只需要认识它了解它即可。因为知识是学不完的，不需知道怎么去研究具体怎么来的，那是厂家、标准会去思考的事情。封装、精度与价格之间的关系对于电子来说，一定要知道元器件的大概价格，如果你设计出来的产品成本，即使再秀再的板子，那么在市场上没有竞争力，也是没有实际价值的。那么，可能有的毕业的，和采购之间相互推诿，认为这是采购的事，价格的事由采购来谈。其实，这中间的责任没有那么的明确的，有时候需要相互沟通、相互协调，等你的产品进入批量生产的时候，采购部有他们自己的指标，会和供应商沟通来压缩元器件的价格和交期的。那么一般情况下，封装越大，价格越高。这其中还有特殊的合金贴片电阻，也会根据材料的不同，价格也有所不同，合金贴片电阻相对普通的碳膜贴片电阻贵一些。还有就是，一般情况下，精度越高，价格越高。还需要说明的是，在特殊情况下，即使±5 精度的阻值，它的价格也可能比±1 精度的电阻价格高，这是因为该电阻阻值不是标称值。随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  STB35N60DM2 VND7N04TR-E VNP20N07-E STD3NK50ZT4 STD35NF06T4 TS3431ILT STM809TWX6F STM809SWX6F LD3985M33R L78M10ABDT-TR LM317MDT-TR L78L05ABD13TR L7805CD2T-TR L78L05ACUTR STM811SW16F VIPER22ADIP-E LD1086D2T33TR L7805ABD2T-TR L78M24ABDT-TR SG3525AP013TR L78M24CDT-TR MC34063ABD-TR UC3845BD1013TR