25小时在线 158-8973同步7035 可微可电同所有业务应用一样，数据 在保持可扩展性的同时还 保持敏捷性，以适应不断变化的需求继去年业界 smartnic 平台alveo u25、实时服务器一体机及alveo u30加速卡等亮相之后，赛灵思基于多年的经验再次推出了组合式数据 ，满足包括计算、网络和存储等基础设施和器件两个层面同时可扩展和可配置，使得处理更加接近数据，进而地满足各类应用的需求。以3月4日发布的alveo smartnic sn1000为例，其既包括网络功能的卸载，还可以进行计算的卸载与加速。这一既缩短了上市时间，而且具备很强的竞争力，因此填补了传统算法中的市场空白。除此之外，当天上午，赛灵思还发布了smart world视频分析及相关的高度可扩展的vmss平台等解决方案，并介绍了其应用商店（xilinx app store）相关细节。加速算法：推出alveo sn1000智能nic随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  回收东芝稳压管理IC 回收INFINEON封装TO-220三极管回收silergy触摸传感器芯片回收fsc仙童路由器交换器芯片回收TOSHIBA传感器芯片回收NXP隔离恒温电源IC 回收安森美微控制器芯片回收瑞萨电池充电管理芯片回收ROHM传感器芯片回收凌特SOP封装IC 回收亚德诺ADAS处理器芯片回收VISHAY音频IC 回收VISHAY封装QFN进口芯片回收PARADE谱瑞集成电路芯片回收maxim/美信汽车电脑板芯片回收RENESAS网口IC芯片回收atheros降压恒温芯片回收HOLTEK合泰aurix芯片回收英飞凌封装QFP芯片回收TAIYO/太诱电源管理IC 回收maxim/美信MOS管回收矽力杰开关电源IC 回收adi发动机管理芯片回收芯成封装SOP20芯片回收beiling开关电源IC 回收GENESIS起源微进口IC 回收韦克威驱动IC 回收infineon汽车电脑板芯片回收亿盟微音频IC 回收东芝封装TO-220三极管回收INFINEON微控制器芯片回收NXP驱动IC 回收ST意法计算机芯片回收艾瓦特微控制器芯片回收鑫华微创MCU电源IC 回收鑫华微创稳压器IC 回收ncs蓝牙IC 回收飞思卡尔驱动IC 回收ATMLE汽车电脑板芯片回收kerostSOP封装IC 回收威世网口IC芯片回收美满进口新年份芯片回收TOSHIBA汽车主控芯片回收beiling进口新年份芯片回收silergyMOS管回收kerost汽车主控芯片回收PARADE谱瑞电源管理IC 回收TOSHIBA封装sot23-5封装芯片回收鑫华微创车充降压IC 回收Marvell封装QFP芯片回收SGMICRO圣邦微电源管理IC 回收NXP微控制器芯片