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早在2020年下半年就，手机芯片处于缺货状态。今年，在小米redmi k40 发布会上小米区总裁卢伟冰曾提到，“今年芯片缺货，不是缺，而是 缺”，甚至都不敢承诺今年不会缺货。 realme 相关负责人也曾说，“高通主芯片、小料都缺货，包括电源类和射频类的器件。”
那么芯片缺到什么程度？
，高通系列物料交期延长至 30 周以上，不仅是手机处理器，csr 蓝牙音频芯片交付周期已经达到 33 周以上，pmic 电源管理芯片，mcu 微处理器芯片都有缺货现象。，这种缺货状况至少要持续到今年年底。芯片为什么会缺货？
认为美国得克萨斯州受寒流影响，导致奥斯汀的两家芯片工厂停产，造成芯片产能受限。另外，汽车行业对芯片的需求，进一步扩大了芯片需求。后，华为、oppo 以及 vivo、一加在内手机厂商都在加大手机产品的备货数量，这加大了芯片供需不平衡。缺芯会导致什么？
虽然缺芯，但2021年手机市场显示出回暖迹象。根据digitimes research新的数据，2021年季度，智能手机出货量同比增长将达到近50 ，预估为3.4亿部。digitimes research估计2021年，的5g手机出货量将超过6亿部，这将远过一年前的2.8亿部

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  NCP1587DR2G MP1412DH-LF-Z MP2249DQT-LF-Z OPA376AIDBVR OPA2333AIDGKR OPA2378AIDCNR LT1783IS6#TRPBF LM258DR LMV722IDGKR LM258PT LM358DR2G STM809RWX6F SY8089AAAC TPS63700DRCR TPS76050DBVR TPS54610PWPR TPS40210DGQR TPS3839G33DBZR TPS7A3901DSCR W25X05CLNIG WCN-3660-0-79BWLNSP-TR-02-0 TPS51125ARGER G966A-25ADJF11U GD25Q80BSIG