惠州回收美光手机内存容量8GB×2G
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STM32F103ZET6
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LPC1768FBD100
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 flash存储器又成为闪存,它与eeprom都是掉电后数据不丢失的存储器,但是flash的存储容量都普遍的大于eeprom,在存储控制上,主要的区别是flash芯片只能一大片一大片地擦除,而eeprom可以单个字节擦除。  sram是静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。stm32f1系列可以通过fsmc外设来拓展sram。  注意:sram和sdram是不相同的,sdram是同步动态随机存储器,同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由进行数据读写。stm32的f1系列是不支持sdram的。 TLP7820(TP4,E(O TC4424AVPA FP75R12KT3 AD5228BUJZ10-RL7 AD5259BRMZ10-R7 AD5162BRMZ10 AD7691BRMZ ADS7822E/2K5 ADG704BRMZ ADE7953ACPZ ADG884BRMZ SY7301AADC SY8009BABC OB2225NCPA OB3330XCPA OB3636AMP SY8201ABC SY8113IADC SY6301DSC SGM2019-ADJYN5G/TR SGM4917AYTQ16G/TR SY8089A1AAC SY7208CABC SY7072AABC SGM9114YN6G/TR SGM9113YC5G
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