25小时在线 158-8973同步7035 可微可电晶体三  管在电路中常用“Q”加数字说，如：Q1说编号为1的三  管。电路板上的三  管
 1、特点：晶体三  管（简称三  管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三  管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。
常用的PNP型三  管有：9012、9015等型号；NPN型三  管有：9011、9012、9013、9014、9018、等型号。
  2、晶体三  管主要用于放大电路中起放大作用，
应用 多级放大器中间级，低频放大 输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路
  3、晶体三  管的识别常用晶体三  管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律。对于小功率金属封装三  管，按底视图位置放置，使其三个引脚构成等腰三角形的顶点向上，从左向右依次为e、b、c；对于中、小功率塑料封装三  管，按图示1-2位置使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左向右依次为e、b、c 。
东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  MAX5441BEUA SSM2167-1RMZ FAN5236QSCX RT9181CB AD5160BRJZ100 AD5171BRJZ100 AD5165BUJZ100 AD5235BRUZ25 AD5308ARUZ-REEL7 AD5280BRUZ20 ADP8860ACPZ RT9801BPE ADP3331ARTZ ADR381ARTZ ADL5315ACPZ EL7536IYZ-T7 MAX1879EUA+ MAX6138AEXR25+T LTM4600EV#PBF A3240ELHLT AD7740YRTZ AD7441BRTZ