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具体而言，81 的企业来自，5 的企业来自欧美，香港地区占比4 ，台湾企业占比6 ，亚太其它地区占比4 。

从参与调研企业的业务性质分类来看，q4电子元器件分销商占比37 ，品牌制造商(oem)占比37 ，原始设计制造商(odm)占比13 ，电子制造服务商(ems)占比10 ，方案系统设计公司(idh)和科研院所分别占比3 。

2020年pmi均值49.7 ，下半年“转正”

2020年，成为重创经济和电子供应链体系的事件。据卫生组织1月8日的数据，累计人数已突破8600万人，日新增 人数80万人，日新增死亡人数1.4万人。

受影响，2020年制造业总体表现“惨淡”。根据物流与采购联合会1月6日公布的新数据显示，2020年年采购经理指数(pmi)均值为49.7 ，较2019年下降0.4 。

好在随着包括在内的主要逐步得到控制，2020年下半年起制造业有所恢复，7月起pmi已连续6个月保持在50 以上，尤其是q4恢复态势进一步增强。

数据显示，q4制造业pmi均值达到54.5 ，较q3上升2.3 ，亚、欧、美、非较q3均有不同程度的增长。

 

随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  MAX5441BEUA SSM2167-1RMZ FAN5236QSCX RT9181CB AD5160BRJZ100 AD5171BRJZ100 AD5165BUJZ100 AD5235BRUZ25 AD5308ARUZ-REEL7 AD5280BRUZ20 ADP8860ACPZ RT9801BPE ADP3331ARTZ ADR381ARTZ ADL5315ACPZ EL7536IYZ-T7 MAX1879EUA+ MAX6138AEXR25+T LTM4600EV#PBF A3240ELHLT AD7740YRTZ AD7441BRTZ