南昌回收闪迪SSD硬盘内存KLMAG2WEMB-B031
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25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国英特尔公司和艾亚实验室将teraphy硅基光学输入/输出芯粒集成到现场可编程门阵列中,将光信号传输元件封装至芯片内部,标志着封装内光互连技术取得突破性进展。集成方案是:将teraphy芯粒与现场可编程门阵列“接口数据总线”接口的24个通道相连接,利用“嵌入式多芯片互连桥接”技术将二者封装在一起,构建封装内集成光学元件的多芯片模块。与电互连相比,光互连带宽密度提高1000倍,功耗降低至1/10。该技术有望实现100太比特/秒的数据传输速率,大幅提升封装内芯片间的数据传输能力,满足装备大数据处理需求。
二、darpa三维系统芯片进入产业化阶段
2020年8月,darpa三维系统芯片开始从实验室成果转向产业化。产业化阶段,darpa将在天水公司200毫米晶圆碳基芯片生产线上,应用碳 管晶体管三维系统芯片制造工艺, 改进芯片品质,提升芯片良率,化芯片性能,提高逻辑功能密度。三维系统芯片集逻辑运算、数据存储功能于一身,可实现高带宽数据传输,提高计算性能,降低运行功耗,将大幅加速人工智能算法和计算,对美国巩固势意义重大。
三、美国开发出高灵敏芯片级激光陀螺仪
2020年3月,美国加州理工学院研发出高灵敏度芯片级激光陀螺仪,灵敏度比其他芯片级陀螺仪高数十至上百倍。该陀螺仪碟形布里渊谐振腔由---q值超过1亿的硅基二氧化硅制成,自由光谱谐振值1.808吉赫。测试表明,芯片级激光陀螺仪具有高灵敏、高集成性、高鲁棒性、强抗冲击性等特点,在微型、可穿戴设备及其他---平台上具有广阔应用前景。
四、美国开发出基于忆阻器阵列的三维计算电路
2020年5月,美空军研究实验室与马萨诸塞大---合研发出一种三维计算电路。其由八层忆阻器阵列构成,采用了新的电路架构设计,可直接实现 神经网络功能。八层忆阻器阵列由若干个彼此物理隔离的忆阻器行组构成,每个行组包含八层忆阻器,层与层呈阶梯式交错堆叠搭接,每个忆阻器仅与相邻少量忆阻器共用电 ,减少了相关干扰,大幅 了“潜在通路”效应,有利于实现大规模忆阻器阵列集成。该三维计算电路计算速度和能效大幅提升,为人工神经网络等计算技术,以及神经形态硬件设计提供了新的技术途径。
nor flash的读取和我们常见的sdram的读取是一样,用户可以直接运行装载在nor flash里面的代码,这样可以减少sram的容量从而节约了成本。(一般程序运行需要将程序从eprom中读取到ram中然后运行,但是nor flash可以直接读取运行。) nor flash带有sram接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。nor flash占据了容量为1~16mb闪存市场的大部分。 nand flash回收IR微控制器芯片回收爱特梅尔封装QFN进口芯片回收maxim汽车电脑板芯片回收Marvell声卡芯片回收Marvell蓝牙芯片回收飞利浦电源监控IC 回收飞利浦微控制器芯片回收爱特梅尔网口IC芯片回收PANASONIC原装整盘IC 回收ti德州仪器计算机芯片回收瑞昱原装整盘IC 回收maxim进口芯片回收idesyn网卡芯片回收NIKO-SEM尼克森芯片回收arvin驱动IC 回收韦克威汽车电脑板芯片回收鑫华微创路由器交换器芯片回收MARVELL汽车电脑板芯片回收IR进口IC 回收kerost触摸传感器芯片回收NXPADAS处理器芯片回收GENESIS起源微路由器交换器芯片回收ST意法集成电路芯片回收安森美封装QFN进口芯片回收ti德州仪器发动机管理芯片回收矽力杰计算机芯片回收ELITECHIP升压IC
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