25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国未禁令之前，的芯片市场都处于一个稳定的状态，所有企业都各司其职，虽然相互之间也有竞争，但依旧保持着密切的合作关系，因此芯片在设计、销售等环节开始形成 完整的产业链，可惜这种良性发展的局面在禁令后就被了。
受影响莫过于华为，毕竟美国芯片就是为了华为，因此导致不少代工厂商不得不中断与华为合作，众所周知，华为海思虽然拥有的芯片设计能力，但在芯片制造方面并没有涉足，因此才引发后面一系列问题。
除了华为，美国企业也损失惨重，在禁令生效后，整个芯片产业损失千亿，要知道，美国作为大芯片出口国，一旦芯片卖不出去，将会影响到本土芯片制造商，虽然了华为发展，但美国此举无疑是杀敌一千自损八百。
此外，芯片禁令也让整个半导体市场出现缺货问题，可见此做法带来的影响有多大，据外媒，美企高通做出回应，由于订单太多，为了应对供货压力，将选择延长供货周期。
据高通内部人员透露，短期内将解决不了缺芯问题，可见缺芯问题有多严峻，导致高通需要延长订单交付周期来喘口气，不仅是高通，其他芯片厂商也有同样的问题可见这次缺芯将会带来多大的影响。
在高通表态后，难受的无疑是小米、ov等国内手机厂商，毕竟他们对高通芯片的依赖性很深，再加上自身不会设计或生产芯片，如今高通芯片出现产能不足，这影响了手机产能，不过也没有办法，小米、ov等企业只能等待高通的下一步行动。
东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS259573DSGR TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS7B6925QDCYRQ1 SN74LVC1G175DCKR TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1