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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

根据产业链的消息，台积电也在研发3nm工艺，的是新工艺仍将采用finfet立体晶体管技术，号称与5nm工艺相比，晶体管密度将提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。从纸面参数来看，三星这一次似乎有望实现反超。不过三星还没有公布3nm工艺的订单情况，台积电则基本确认，客户会包括苹果、amd、nvidia、联发科、赛灵思、博通、高通等，貌似intel也有意寻求台积电的工艺代工。台积电预计将在2nm芯片上应用gaafet技术，要等待三年左右才能面世。回收SGMICRO圣邦微DOP封装芯片回收英飞凌降压恒温芯片回收idesyn封装QFP144芯片回收矽力杰原装整盘IC 回收infineon封装QFP144芯片回收HOLTEK合泰音频IC 回收英飞凌电池充电管理芯片回收ATMLE封装sot23-5封装芯片回收infineon原装整盘IC 回收艾瓦特电池充电管理芯片回收瑞萨ADAS处理器芯片回收VincotechMCU电源IC 回收飞思卡尔封装SOP20芯片回收arvin逻辑IC 回收ATMLE封装QFN进口芯片回收GENESIS起源微封装QFP芯片回收威世进口新年份芯片回收PARADE谱瑞封装QFP芯片回收SAMSUNG蓝牙芯片回收PANASONIC网卡芯片回收SGMICRO圣邦微网卡芯片回收idesyn蓝牙IC 回收PARADE谱瑞隔离恒温电源IC 回收WINBOND华邦电池充电管理芯片回收toshiba封装QFN进口芯片回收飞思卡尔触摸传感器芯片回收WINBOND华邦开关电源IC 回收Vincotech驱动IC 回收赛灵思进口新年份芯片回收HOLTEK合泰信号放大器回收安森美MCU电源IC 回收Vincotech隔离恒温电源IC 回收丽晶微封装sot23-5封装芯片回收idesyn电池充电管理芯片回收赛灵思封装QFP144芯片回收英飞凌aurix芯片回收NXP开关电源IC 回收maxim/美信网口IC芯片回收intel电源管理IC 回收赛灵思DOP封装芯片回收semiment触摸传感器芯片回收INFINEON稳压管理IC 回收SAMSUNG声卡芯片回收atheros音频IC