25小时在线 158-8973同步7035 可微可电去年由于原因导致汽车行业芯片缺货，之后芯片缺货问题蔓延到了手机行业；对于大部分手机厂商来说，芯片缺货已经是今年大的问题，甚至没有之一；各大手机厂商推出的5g手机目前很难“”销售，小宅对各大电商平台以及线下市场调查之后发现，目前“”销售的5g手机，似乎只有一款。
苹果公司去年推出了新的5g智能手机iphone12系列，该系列机器通过搭载苹果a14芯片+骁龙x55基带的组合方式来实现对“双模”5g网络的支持；截止到目前，iphone12系列“”销售，绝大部分的配色和版本都是都可以直接购买的，并不需要消费者。
芯片“缺货”问题对于android手机厂商来说已经无法避免，但苹果似乎并不害怕芯片缺货问题；目前台积电5nm工艺制式的产线大都排给了苹果，所以苹果可以放心使用a14芯片，相比缺货的骁龙888芯片和麒麟9000芯片，苹果a14芯片可能是今年出货量高的5g芯片了。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  RN5RL30AA-TR SI9183DT-AD-T1 TC2185-2.8VCTTR TCM810LENB713 TCM811SERC TPS79333DBVRG4 ADP3300ART-3 SC8800S4-349G SC8825A SC8825C SIL9011CLU TA31139BFL TLV5590EDR U87C196MC R2A15905FP RTL8306SD-GR SCH5627-NS SN65HVD3080EDGS INA203AIDGSR INA168QDBVRQ1 INA240A1PW USB1T1103MPX OPA2209AIDGKR