25小时在线 158-8973同步7035 可微可电市场走势春节前后判若“两 ” 电子行业整体走弱：2021 年2 月国内a 场的申万电子行业指数下跌4.5 ，位列 24 位，跑输300 指数3.7个百分点，整体走势弱于大市。市场在春节前后的走势分化，春节后由于对流动性收紧的预期加剧，市场整体性回调，尤其是前期“抱团”的公司。   电子板块由于整体估值水平较高，且市场风格集中在顺周期的行业，行业缺乏进一步的利好，整体走势弱于市场整体。海外市场方面，香港科技板块下跌，美国和台湾科技业指数则上涨。   1 月国内手机出货量大增，低基数效应释放：1 月手机出货量同比大幅增长，主要系去年1 月国内已蔓延对需求造成，另一方面，去年新机发布数量有限，秋季新机延期发布，低基数效应叠加需求复苏使得1月手机出货量大增。来看，苹果、三星均因华为份额下滑获得了市场份额，苹果2020 年 四自然季业绩也因此超出市场预期成为有史以来单季度营收。目前来看，智能手机上半年因基数效应呈现淡季不淡的行情，但需求的持续动力仍有待验证，零组件出现部分缺货现象或对odm 订单造成影响。   半导体涨价潮延续，利好产能规模势企业：供需端数据显示行业仍处于上行期，从存储器价格来看，2 月dram 价格涨幅较大，主要由于供给端产能吃紧导致。半导体缺货、涨价仍在不断上演，需求端逐渐恢复正常的前提下短期不应求无法，产能成为晶圆厂和封测厂今年业绩的重要。   近期由于德州暴雪、日本地震等自然事件对重要半导体生产基地造成停工影响，供给吃紧情况进一步加剧。因此，我们认为国内产业链订单饱满将带来业绩上的体现，具备产能势的企业受益。   面板价格上涨，制造商业绩进一步受益：面板价格仍上涨，大尺寸涨幅在4 ~5 ，中小尺寸涨幅有所扩大，主要系需求端tv 备货不减，it 类需求持续景气，供给端材料缺货短期内无法影响 产能，面板行业的状况仍在延续，国内厂商业绩有望进一步受益。   投资建议：维持行业评级“同步大市-a”，行业进入q1 季末，年报逐步披露，21q1 业绩也逐渐浮出水面，基本面或成为主要的点，但宏观经济层面风险仍然存在，建议保持谨慎。子板块分析来看：终端产品，低基数效应下q1~q2手机出货量有望增长，供应链上半年同比表现预期较好，但需求的持续性有待进一步验证；半导体方面，缺货涨价潮仍在延续，短期内无法，有产能势的厂商受益更为；显示板块，面板价格仍上涨，叠加显示驱动 ic 缺货预期若，面板将持续涨价，厂商业绩进一步受益。未来一个月，子板块推荐半导体封测、模拟电路国内、周期性向好的面板以及需求景气的被动元器件。个股方面，我们推荐基本面确定性高的标的，为思瑞浦(688536)、圣邦股份(300661)、长电科技(600584)、江海股份(002484)和深天马a(000050))随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR