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采用flash介质时一个需要 考虑的问题是性。对于需要扩展mtbf的系统来说,flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(性)、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的性。
性
在nand闪存中每个块的大擦写次数是一百万次,而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期势,典型的nand块尺寸要比nor器件小8倍,每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。
由于需要i/o接口,nand要复杂得多。各种nand器件的存取方法因厂家而异。
在使用nand器件时, 先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向nand器件写入需要相当的技巧,,这就意味着在nand器件上自始至终都 进行虚拟映射。
其他作用
驱动还用于对diskonchip产品进行仿真和nand闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

 

目前，三星电子对此事未置评。高通公司公开说，他们有信心能够达到财季的销售目标。上周三，高通公司 执行官克里斯蒂亚诺·阿蒙（cristiano amon）在年会上对说：“我们的需求仍基本高于供给。不过，接下来将先 soc 芯片的供应，而不是的入门级芯片”。自去年美国华为后，安卓手机厂商对高通芯片的需求激增，这可能是高通出现供应压力的原因之一。此外，上个月，美国德克萨斯州遭遇冬季暴风雪导致三星电子铸造厂电网瘫痪，这家代工厂是高通的主要供应厂之一。受到断电影响，该厂在2月16日以来一直处于停工停产的状态，并且预计可能会持续到4月中旬。目前为止，芯片短缺主要集中在传统工艺制造的芯片上，而不是高通设计的处理器芯片。此次高通芯片供应出现问题，表明芯片供应链可能由一个行业扩展到其他多个行业，同时，快速变化的市场需求让需要提前数十年制定生产计划的芯片公司陷入困境。 GD32F103VCT6 GD32F303CCT6 GD32F303VCT6 GD32F305VCT6 PCI9056-BA66BIG QCPL-7847-500E QCPL-WB3N-560E ACHS-7122-500E ACPL-C790-500E ACPL-P480-500E HCPL-0601-500E TLC272IDR TMS320F28062PNT TPS7A7200QRGWREP TPS79850QDGNRQ1 TPS79801QDGNRQ1 LMH6645MFX/NOPB TMS320LF2406APZA IS42S32200L-6TLI IS25LP128F-JBLE-TR IS25LP256D-RMLE IS25LP512M-RMLE-TR IS25WP080D-JNLE IS25WQ040-JNLE-TR AO4803A AOL1412 DSPIC33EP16GS504-I/PT