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东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是nvm，其记录速度也非常快。
intel是上个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256k bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里，intel发明的这类闪存被统称为nor闪存。它结合eprom和eeprom两项技术，并拥有一个sram接口。
种闪存称为nand闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。nand闪存的写周期比nor闪存短90 ，它的保存与删除处理的速度也相对较快。nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了的性能。鉴于nand的表现，它常常被应用于诸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存储卡上。
nand 闪存的存储单元采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， nand 的存储块大小为 8 到 32kb ），这种结构大的点在于容量可以做得很大，超过 512mb 容量的 nand 产品相当普遍， nand 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
nand 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 i/o 端口只有 8 个，比 nor 要少多了。这区区 8 个 i/o 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 nor 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 nand 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，性较 nor 闪存要差。

 

一种称为静态ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前读写快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的缓冲，二级缓冲。另一种称为动态ram（dynamic ram/dram），dram保留数据的时间很短，速度也比sram慢，不过它还是比的rom都要快，但从价格上来说dram相比sram要便宜很多，计算机内存就是dram的。 dram dram分为很多种，常见的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，这里介绍其中的一种ddr ram。 ddr ram（date-rate ram）也称作ddr sdram，这种改进型的ram和sdram是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得多的内存，而且它有着成本势，事实上击败了intel的另外一种内存标准－rambus dram。在很多的显卡上，也配备了高速ddr ram来提高带宽，这可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。 2、romTPS74801QRGWRQ1 TPIC44L01DBR TLE42754G NCV47821PAAJR2G TPS745125PQWDRBRQ1 S9S12GN32BMLCR S9S12G192F0CLL LM324IYPT BUK9K35-60E S9S12G192F0CLL TPS40210QDGQRQ1 TPS74801QRGWRQ1 BZX384-C6V2 S912XDP512JMAL A4935KJPT-T TLE42754G SPC5743PK1AMLQ5R UCC28C41QDRQ1 NCV47821PAAJR2G MCIMX6D6AVT08AD SPC560P44L3CEFAR AONR34332C DMP4015SK3Q PESD1CAN.125 S9S12G64AMLF