25小时在线 158-8973同步7035 可微可电回收pixelplus派视尔芯片、回收sunplus凌阳芯片、回收nextchip芯片、回收soinc晶相芯片、回收richtek立锜芯片、回收simcon芯讯通芯片、回收jorjin佐臻芯片、回收generalplus凌通芯片、回收dialog戴乐格芯片、回收nordic芯片、回收nxp恩智浦芯片、回收bosch博世芯片、回收st意法芯片、回收infineon英飞凌芯片、回收jrc芯片、回收sony索尼芯片、回收toshiba东芝芯片等在一些非挥发性存储器如相变存储器（phase-change memory；pcm）、磁阻存储器（ resistive memory；m-ram）、电阻存储器（resistive memory；rram）等技术已蓄势待发、即将迈向商业量产门槛之际，ddr4将可能是末代的ddr存储器，届时电脑与软体结构将会出现 为剧烈的变动。  nand flash逼近制程物理以提升容量密度  以浮闸式（floating gate）半导体电路所设计的nand flash非挥发性存储器，随着flash制程技术不断进化、单位容量成本不断下降的情况下，已经在智慧手机、嵌入式装置与工控应用上大量普及。  CY7C1650KV18-450BZC CY7C1415KV18-300BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1520V18-200BZC TLC6C598QPWRQ1 VND7140AJTR AUIRS2191STR L9347LF-TR VNH7013XPTR-E TLE9180D-31QK TLD2331-3EP A4916KJPTR-T S9KEAZN16AMLC MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AEP MC13892DJVL SPC560P44L3CEFAR SPC5743PK1AMLQ5R SPC560P50L3CEFAR IS45S32200L-7BLA2 VNN7NV04PTR-E VN5E025AJTR-E NCV2902DTBR2G