南京回收CONSONANCE如韵不整盘芯片
25小时在线 158-8973同步7035 可微可电 1)1001说的是1010^2=1k,1002说的是1010^3=10k,1502说的是1510^3=15k,以此类推, 2)除了用四位数说±1 精度的贴片电阻以外,还有用划线的方法,来说±1 精度的,比如:103说的就是10k ±1 精度的贴片电阻,562说的就是5.6k ±1 精度的贴片电阻那么,上面是丝印的一种直接读数的方法,除此之外,还有另一种丝印代码的方法:e-96代码的丝印标识方法,它的精度也是±1 ,关于这种丝印的代码标识,它有自己的一套计算公式,大家可以去查表,不用刻意的去记住它。这样的标识方法也有它的相关标准的,作为电子来说,只需要认识它了解它即可。因为知识是学不完的,不需知道怎么去研究具体怎么来的,那是厂家、标准会去思考的事情。封装、精度与价格之间的关系对于电子来说,一定要知道元器件的大概价格,如果你设计出来的产品成本,即使再秀再的板子,那么在市场上没有竞争力,也是没有实际价值的。那么,可能有的毕业的,和采购之间相互推诿,认为这是采购的事,价格的事由采购来谈。其实,这中间的责任没有那么的明确的,有时候需要相互沟通、相互协调,等你的产品进入批量生产的时候,采购部有他们自己的指标,会和供应商沟通来压缩元器件的价格和交期的。那么一般情况下,封装越大,价格越高。这其中还有特殊的合金贴片电阻,也会根据材料的不同,价格也有所不同,合金贴片电阻相对普通的碳膜贴片电阻贵一些。还有就是,一般情况下,精度越高,价格越高。还需要说明的是,在特殊情况下,即使±5 精度的阻值,它的价格也可能比±1 精度的电阻价格高,这是因为该电阻阻值不是标称值。东芝(toshiba)以2009年开发的bics—3d nand flash技术,从2014年季起开始小量试产,目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路,东芝与新帝(sandisk)合资的日本三重县四日市晶圆厂,期工程扩建计划预计2014年q3完工,q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光(micron)、英特尔(intel)阵营,也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ,计划于2014年q2送样测试,快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更长时间,且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时,故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主,对整个移动设备与储存市场上的替代效应,在明年底以前应该还看不到。  SGM2036-3.3YN5G/TR SY6874DBC SY6288AAAC SY6282ACC SY6280AAAC SM8103ADC SY7065AQMC SYR827PKC SY8401ABC SY6702DFC SY7203DBC SY58873UFAC MP2340GJ-Z MP2480DN-LF-Z MP3202DJ-LF-Z MP4012DS-LF-Z MP6513GJ-Z SY8035DBC MP1475DJ-LF-Z MP1495SGJ-Z MP1655GG-Z MP1658GTF-Z MP172GJ-Z MP2233DJ-LF-Z MP2488DN-LF-Z MP1591DN-LF-Z MP2149GJ-Z MP2229GQ-Z MP2560DN-LF-Z MP3120DJ-LF-Z MP3423GG-Z MP3426DL-LF-Z MP6211DN-LF-Z SY6281AAC MA730GQ-Z
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