25小时在线 158-8973同步7035 可微可电根据公开资料显示： 博通公司成立于1991年，是的有线和无线通信半导体公司。虽然博通公司成立比高通晚六年的时间，但博通公司发展的可谓是相当迅速，早在2007年，博通的年收入就达到了37.8亿美元，时至今日，博通已经成为不输高通的芯片，实力也相当。
随着采用传统2d平面制程技术的nand flash即将nand flash大厂纷纷开始采用3d堆叠制程技术来增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆叠nand设计概念，同年samsung也发表stacked nand堆叠式快闪存储器，2007年东芝发表bics，2009年东芝发表p-bics、三星发表tcat、vg-nand与vsat，2010年旺宏发表vg tft，2011发表pnvg tft，同年hynix也发表hybrid 3d技术。2010年vlsi研讨会，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技术装置的vg（垂直闸） 3d nand技术。预计2012年进入55nm制程，2013年进入36nm制程，2015年进入2xnm制程，制程进度落后其他大厂甚多。  三星（samsung）同样于2006年发表stacked nand，2009年进一步发表垂直通道tcat与水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星发布名为v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技术和垂直堆叠单元结构，单一芯片可以集结、堆叠出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多两倍，性、写入速度也比20nm制程nand flash还高。三星目前在3d-nand flash应用进度其他业者，v-nand制造基地将以韩国厂与新设立的西安厂为主。其v-nand目标直接挥军伺服器等级固态硬碟，从2013年 四季开始，陆续送样给伺服器业者或是资料 制造商进行测试。  回收ROHM电池充电管理芯片回收ti德州仪器收音IC 回收MARVELL进口IC 回收芯成WIFI芯片回收芯成全新整盘芯片回收Marvell蓝牙IC 回收威世封装QFN进口芯片回收ncs信号放大器回收NXP稳压管理IC 回收idt手机存储芯片回收亚德诺WIFI芯片回收adi蓝牙芯片回收idesyn集成电路芯片回收MICRON/美光逻辑IC 回收丽晶微原装整盘IC 回收TOSHIBA蓝牙IC 回收kerost汽车电脑板芯片回收INFINEON触摸传感器芯片回收尚途sunto封装sot23-5封装芯片回收Vincotech发动机管理芯片回收亚德诺电源管理IC 回收艾瓦特进口IC 回收toshiba封装QFP144芯片回收PARADE谱瑞声卡芯片回收芯成计算机芯片回收toshiba电池充电管理芯片回收RENESAS驱动IC 回收HOLTEK合泰MCU电源IC