25小时在线 158-8973同步7035 可微可电电阻是应用于各种电子设备的多的电阻类型，无论怎样安装，维修者都能方便的读出其阻值，便于检测和更换。但在实践中发现，有些电阻的排列顺序不甚分明，往往容易读错，在识别时，可运用如下技巧加以判断：
技巧1：先找标志误差的，从而排定顺序。常用的说电阻误差的颜色是：金、银、棕，尤其是金环和银环，一般绝少用做电阻的环，所以在电阻上只要有金环和银环，就可以基本认定这是电阻的末一环。
技巧2：棕是否是误差标志的判别。棕既常用做误差环，又常作为  数字环，且常常在环和末一环中同时出现，使人很难识别谁是环。在实践中，可以按照之间的间隔加以判别：比如对于一个五道的电阻而言，  五环和  四环之间的间隔比环和环之间的间隔要宽一些，据此可判定的排列顺序。
技巧3：在仅靠间距还无法判定顺序的情况下，还可以利用电阻的生产序列值来加以判别。比如有一个电阻的读序是：棕、黑、黑、黄、棕，其值为：100×10000=1MΩ误差为1  ，属于正常的电阻系列值，若是反顺序读：棕、黄、黑、黑、棕，其值为140×1Ω=140Ω，误差为1  。显然按照后一种排序所读出的电阻值，在电阻的生产系列中是没有的，故后一种顺序是不对的。
flash和eeprom的大区别是flash按扇区操作，eeprom则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比eeprom低，因而适合用作程序存储器，eeprom则 的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行，但操作比eeprom麻烦的多，所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有flash，早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构，现在已基本上停产了。现在的单片机,ram主要是做运行时数据存储器,flash主要是程序存储器,eeprom主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 1、ram rom和ram指的都是半导体存储器，rom是read only memory的缩写，ram是random access memory的缩写。rom在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而ram通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的ram就是计算机的内存。 sram和dram区别ram有两大类：LM2904VQDRQ1 TLV4314QPWRQ1 TL343IDBVR LM393DGKR TPS51916RUKT TPS2543RTER TPS62130AQRGTRQ1 TPS61096ADSSR TPD4S010DQAR LM337LM/NOPB SN74LVC1T45QDCKRQ1 TXS0102YZPR TPS54225PWP INA193AMDBVREP TPS259270DRCR SN65HVD1050DR TPS259530DSGR TL343IDBVT AM26LV32IDR ISO7321CDR SN74LVC1T45DRLR ISO7221BDR CSD18532Q5B TS3USB221ERSER