25小时在线 158-8973同步7035 可微可电美国未禁令之前，的芯片市场都处于一个稳定的状态，所有企业都各司其职，虽然相互之间也有竞争，但依旧保持着密切的合作关系，因此芯片在设计、销售等环节开始形成 完整的产业链，可惜这种良性发展的局面在禁令后就被了。
受影响莫过于华为，毕竟美国芯片就是为了华为，因此导致不少代工厂商不得不中断与华为合作，众所周知，华为海思虽然拥有的芯片设计能力，但在芯片制造方面并没有涉足，因此才引发后面一系列问题。
除了华为，美国企业也损失惨重，在禁令生效后，整个芯片产业损失千亿，要知道，美国作为大芯片出口国，一旦芯片卖不出去，将会影响到本土芯片制造商，虽然了华为发展，但美国此举无疑是杀敌一千自损八百。
此外，芯片禁令也让整个半导体市场出现缺货问题，可见此做法带来的影响有多大，据外媒，美企高通做出回应，由于订单太多，为了应对供货压力，将选择延长供货周期。
据高通内部人员透露，短期内将解决不了缺芯问题，可见缺芯问题有多严峻，导致高通需要延长订单交付周期来喘口气，不仅是高通，其他芯片厂商也有同样的问题可见这次缺芯将会带来多大的影响。
在高通表态后，难受的无疑是小米、ov等国内手机厂商，毕竟他们对高通芯片的依赖性很深，再加上自身不会设计或生产芯片，如今高通芯片出现产能不足，这影响了手机产能，不过也没有办法，小米、ov等企业只能等待高通的下一步行动。
东芝（toshiba）以2009年开发的bics—3d nand flash技术，从2014年季起开始小量试产，目标在2015年前顺利衔接现有1y、1z 技术的flash产品。为了后续3d nand flash的量产铺路，东芝与新帝（sandisk）合资的日本三重县四日市晶圆厂，期工程扩建计划预计2014年q3完工，q3顺利进入规模化生产。而sk海力士与美光（micron）、英特尔（intel）阵营，也明确宣告各自3d nand flash的蓝图将接棒16 ，计划于2014年q2送样测试，快于年底量产。  由于3d nand flash存储器的制造步骤、工序以及生产良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更长时间，且在应用端与主芯片及系统整合的验证流程上也相当耗时，故初期3d nand flash芯片将以少量生产为主，对整个移动设备与储存市场上的替代效应，在明年底以前应该还看不到。  SSM6K513NU TB6643KQ(O,8) TB67B001FTG(O,EL) TB67H450FNG IR2101STRPBF IGW60T120 IKW20N60T IKW25N120T2 IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7 IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G LM317LDR2G MMBZ5231BLT1G MAX708ESA-TG FAN6300AMY FAN73711MX FAN7631SJX FSL116LR FSL136MR GD32F103VET6 GD32F103RCT6 GD32F103C8T6