MBR30200PT-ASEMI肖特基二极管MBR30200PT
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MBR30200PT-ASEMI肖特基二极管MBR30200PT
型号：MBR30200PT
品牌：ASEMI
封装：TO-247
特性：低压降肖特基二极管
正向电流：30A
反向耐压：200V
恢复时间：5ns
引脚数量：3
芯片个数：2
芯片尺寸：122MIL
浪涌电流：200A
漏电流：10ua
工作温度：-40℃~170℃
包装方式：800/管；1800/箱
备受欢迎的MBR30200PT-ASEMI肖特基二极管
ASEMI品牌MBR30200PT是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了MBR30200PT的漏源电流30A，漏源击穿电压200V.
•细节体现差距
MBR30200PT，力特品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
MBR30200PT具体参数为：正向电流：30A，反向耐压：200V，反向恢复时间： 5ns，封装：TO-247
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